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鎢鈦（WTi）薄膜在半導體和光伏電池行業(yè)中可用作Al和Si之間有效的擴散阻擋層，其主要通過物理氣相沉積（PVD）技術、通過磁控濺射WTi合金靶材而獲得。 在半導體工業(yè)中，鎢薄膜主要用作構成電子部件的材料，例如柵電極或布線材料。這些電子部件的集成度、可靠性、功能特性和處理速度等要求日益增加。 鎢硅靶材通過物理氣相沉積技術（PVD）制備得到鎢硅薄膜，應用在半導體、特別是存儲器，如DRAM中，充當有效的柵極奧姆接觸層

應用領域：半導體及電子技術? 電光源? 航空航天及汽車工業(yè)

行業(yè)中希望獲取高性能的WTi合金靶材，即濺射過程中產(chǎn)生的顆粒數(shù)少、得到的薄膜均一性高幷且具有優(yōu)良電性能的靶材。為了滿足復雜集成電路擴散阻擋層可靠性的要求，虹鷺的WTi合金靶材具有高純度和高密度的特性。

虹鷺生產(chǎn)的鎢靶密度高，組織均勻，濺射的鎢薄膜具有低電阻、高耐熱等特性，廣泛用于半導體電子部件中，幷且很好的滿足了行業(yè)需求。

半導體領域用的鎢硅靶材在純度、組織結構控制以及靶材組件整體質(zhì)量一致性等方面具有十分嚴格的要求，其對薄膜的性能起著至關重要的影響。

產(chǎn)品形態(tài)：

鎢 / 鎢鈦 / 鎢硅靶材，形狀可定制

純度：鎢（上至5N）/? 鎢鈦（上至4N5）/ 鎢硅（上至4N5）